场效应管 PHD23NQ10T PHD23NQ10

产品型号:PHD23NQ10T

封装:SOT-252

源漏*间雪崩电压V(br)dss(V):100

夹断电压VGS(V):&plu*n;20

*大漏*电流Id(A):23

源漏**大导通电阻rDS(on)(Ω):0.07 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4

功率PD(W):100

输入电容Ciss(PF):890 t*.

通道*性:N沟道

低频跨导gFS(s)：

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):93

导通延迟时间Td(on)(ns):8 t*.

上升时间Tr(ns):39 t*.

关断延迟时间Td(off)(ns):26 t*.

下降时间Tf(ns):24 t*.

温度(℃): -50 ~175

描述:100V,23A N-channel TrenchMOS transistor

特点:
.Trench技术
.低通态电阻
.快速开关
.低热阻

应用范围：
。DC-DC转换器
。开关电源
。T.V.和电脑显示器的电源供应器

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