供应原装、国产场效应管2N60 5N60 8N60 10N60 20N60

类别：分离式半导体产品

家庭：MOSFET，GaNFET - 单

系列：QFET™

FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 特点：标准型

开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C：730 毫欧 @ 4.75A, 10V

漏*至源*电压(Vdss)：600V

电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C：9.5A

Id 时的 Vgs(th)（*大）：4V @ 250µA

闸电荷(Qg) @ Vgs：57nC @ 10V

在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：2040pF @ 25V

功率 - *大：50W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3 全封装（直引线）

包装：管件

供应商设备封装：*