SEMIWILL*-IRF840-MOS管-场效应管-MOSFET
地区:上海 上海市
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无
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IRF840-MOS管-场效应管-MOSFET
概述
场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。由多数载流子参与导电,也称为单*型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(10^8~10^9Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、*工作区域宽等优点,现已成为双*型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
产品特性:
热阻低、开关速度快、输入阻*高、*合RoHS规范
主要参数:
漏-源电压VDS≥500V 漏*电流ID=8.5A 导通电阻RDS≤0.85ohm
P-DIT/塑料双列直插
IRF840
GE-N-FET锗N沟道
S/开关
SEMIWILL
N沟道
*缘栅(MOSFET)
耗尽型