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产品属性
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该N沟道增强型功率MOSFET产品采用飞兆半导体®的专有平面条形和DMOS技术生产。这种*的MOSFET技术已专门定制用来降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正(PFC)及照明灯电子镇流器。
产品特性
6.6A, 800V, RDS(on)= 1.9Ω(*大值)@VGS= 10 V, ID= 3.3A
低栅*电荷(典型值27nC)
低Crss(典型值10pF)
100%经过雪崩击穿测试
应用场景
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CER-DIP/陶瓷直插
FQPF7N80C
N-FET硅N沟道
SW-REG/开关电源
FAIRCHILD/*童
N沟道
*缘栅(MOSFET)
增强型