可控硅模块MT*00A/2400V

*号 

参数名称 

参数值 

单位 

测试条件 

IT* 

通态电流  平均值 

350 

400 

500 

A 

180°导通  正弦半波

IF*

正向电流  平均值

350

400

500

A

180°导通  正弦半波

ITSM

IFSM

浪涌电流

8400

9000

9100

9800

9500

11000

A

T=10mS  非重复

T=8.3mS  非重复

I2T

330000

330000

400000

400000

450000

450000

A2S

T=10mS  非重复

T=8.3mS  非重复

IRRM/

IDRM

断态漏电流

15

20

mA

TJ=125℃,门*开路

VRRM

反向重复峰值电压

800-1800

V

125℃ I RRM,I DRM=15~20mA

门*开路

VDRM

断态重复峰值电压

800-1800

VTM

VFM

峰值通态电压

峰值正向电压

1.9

1.90

1.50

1.90

1.50

V

ITM=πIT*；IFM=πIF*

TJ=25℃ 180°导通

Di/dt

通态电流上升率

150

A/μS

TJ=25℃,0.67VDGM,Ig=500mA,tr<0.5μs,tp>6μs

Dv/dt

断态电压上升率

500

V/μS

TJ=125℃,0.67VDRM，门*开路

IH

维持电流

200

mA

TJ=25℃,阳*电压=6V 阻性负载，门*开路

IL

擎住电流

400

mA

TJ=25℃ 阳*电压=6V 阻性负载

PGM

门*峰值功率

10

12

12

W

IGM

门*峰值电流

2.5

3

3

A

VGT

门*触发电压

≤2

V

TJ=25℃ 阳*电压=6V 阻性负载

IGT

门*触发电流

≤100

mA

VISO

*缘电压

2500

V

50HZ电路对基板，接线端短接。T=1s

TJ

工作结温

-40 to 125

℃

Tstg

储存温度

RthJC

结壳热阻

0.07

0.065

0.06

K/W

每个模块，直流

RthCS

接触热阻 基板/散热器

0.02

K/W

涂导热硅脂

Wt

重量

1509

1509

1509

g

外形尺寸

126*63*66

mm

外壳颜色

黑