供应二*管模块MDC800A/800-2200V

地区:北京 北京市
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北京安泰志诚科技发展有限公司

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按国际标准生产的二单元*率半导体模块。将功率二*管和可控硅按标准电路结构封装在一起,有十一种标准线路可供选择,用电子陶瓷片解决功率半导体芯片和底基板*缘问题,多个模块可以共用一个散热器。体积小,结构紧凑,根据需要可以方便的联接成单相或三相整流桥和交流开关,广泛的应用在电源电压的调节,灯光电路和温度的控制及电动机的速度控制等。

典型应用 

● 整流电源                   ● 交直流电机控制                     ● 工业加热温度控制

● 灯光调节控制               ● 无触点开关                         ● 电力无功补偿

● 电焊机、变频器             ● 电池充放电

*号 

参数名称 

参数值 

单位 

测试条件 

IT* 

通态电流  平均值 

500 

600 

800 

A 

18导通  正弦半波 

IF* 

正向电流  平均值 

500

600

800

A

18导通  正弦半波

ITSM

IFSM

浪涌电流

9500

9500

10800

10800

14400

14500

A

T=10mS  非重复

T=8.3mS  非重复

I2T

 

455000

456000

583000

583000

1037000

1037000

A2S

T=10mS  非重复

T=8.3mS  非重复

IRRM/

IDRM

断态漏电流

20

35

mA

TJ=125℃,门*开路

VRRM

反向重复峰值电压

800-1800

V

125℃ I RRM,I DRM=20~35mA

门*开路

VDRM

断态重复峰值电压

800-1800

VTM

VFM

峰值通态电压

峰值正向电压

1.9

1.9

1.9

1.9

1.9

1.9

V

ITM=πIT*;IFM=πIF*

TJ=25℃ 180°导通

Di/dt

通态电流上升率

150

A/μS

TJ=25℃,0.67VDGM,Ig=500mA,tr<0.5μs,tp>6μs

Dv/dt

断态电压上升率

500

V/μS

TJ=125℃,0.67VDRM门*开路

IH

维持电流

200

mA

TJ=25℃,阳*电压=6V 阻性负载,门*开路

IL

擎住电流

400

mA

TJ=25℃ 阳*电压=6V 阻性负载

PGM

门*峰值功率

12

12

14

W

 

IGM

门*峰值电流

3

3

4

A

 

VGT

门*触发电压

3

V

TJ=25℃ 阳*电压=6V 阻性负载

IGT

门*触发电流

150

mA

VISO

*缘电压

2500

V

50HZ电路对基板,接线端短接。T=1s

TJ

工作结温

-40 to 125

 

Tstg

储存温度

 

RthJC

结壳热阻

0.06

0.06

0.04

K/W

每个模块,直流

RthCS

接触热阻 基板/散热器

0.015

K/W

涂导热硅脂

Wt

重量

1061

1650

3108

g

 

 

外形尺寸

见图27

mm

 

 

外壳颜色

 

 

 

冷却方式

水冷

 

 

"
品牌/商标

安泰

型号/规格

MTC800A1600V

控制方式

单向

*数

二*

封装材料

模块封装

封装外形

模块

关断速度

普通

散热功能

不带散热片

功率特性

大功率

频率特性

中频

额定正向平均电流

800A(A)

控制*触发电压

0(V)

控制*触发电流

0(mA)

反向阻断峰值电压

1600(V)