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产品属性
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按国际标准生产的二单元*率半导体模块。将功率二*管和可控硅按标准电路结构封装在一起,有十一种标准线路可供选择,用电子陶瓷片解决功率半导体芯片和底基板*缘问题,多个模块可以共用一个散热器。体积小,结构紧凑,根据需要可以方便的联接成单相或三相整流桥和交流开关,广泛的应用在电源电压的调节,灯光电路和温度的控制及电动机的速度控制等。
典型应用
● 整流电源 ● 交直流电机控制 ● 工业加热温度控制
● 灯光调节控制 ● 无触点开关 ● 电力无功补偿
● 电焊机、变频器 ● 电池充放电
*号 | 参数名称 | 参数值 | 单位 | 测试条件 | ||||
IT* | 通态电流 平均值 | 500 | 600 | 800 | A | 180°导通 正弦半波 | ||
IF* | 正向电流 平均值 | 500 | 600 | 800 | A | 180°导通 正弦半波 | ||
ITSM IFSM | 浪涌电流 | 9500 9500 | 10800 10800 | 14400 14500 | A | T=10mS 非重复 T=8.3mS 非重复 | ||
I2T |
| 455000 456000 | 583000 583000 | 1037000 1037000 | A2S | T=10mS 非重复 T=8.3mS 非重复 | ||
IRRM/ IDRM | 断态漏电流 | 20 | 35 | mA | TJ=125℃,门*开路 | |||
VRRM | 反向重复峰值电压 | 800-1800 | V | 125℃ I RRM,I DRM=20~35mA 门*开路 | ||||
VDRM | 断态重复峰值电压 | 800-1800 | ||||||
VTM VFM | 峰值通态电压 峰值正向电压 | 1.9 1.9 | 1.9 1.9 | 1.9 1.9 | V | ITM=πIT*;IFM=πIF* TJ=25℃ 180°导通 | ||
Di/dt | 通态电流上升率 | 150 | A/μS | TJ=25℃,0.67VDGM,Ig=500mA,tr<0.5μs,tp>6μs | ||||
Dv/dt | 断态电压上升率 | 500 | V/μS | TJ=125℃,0.67VDRM,门*开路 | ||||
IH | 维持电流 | 200 | mA | TJ=25℃,阳*电压=6V 阻性负载,门*开路 | ||||
IL | 擎住电流 | 400 | mA | TJ=25℃ 阳*电压=6V 阻性负载 | ||||
PGM | 门*峰值功率 | 12 | 12 | 14 | W |
| ||
IGM | 门*峰值电流 | 3 | 3 | 4 | A |
| ||
VGT | 门*触发电压 | 3 | V | TJ=25℃ 阳*电压=6V 阻性负载 | ||||
IGT | 门*触发电流 | 150 | mA | |||||
VISO | *缘电压 | 2500 | V | 50HZ电路对基板,接线端短接。T=1s | ||||
TJ | 工作结温 | -40 to 125 | ℃ |
| ||||
Tstg | 储存温度 |
| ||||||
RthJC | 结壳热阻 | 0.06 | 0.06 | 0.04 | K/W | 每个模块,直流 | ||
RthCS | 接触热阻 基板/散热器 | 0.015 | K/W | 涂导热硅脂 | ||||
Wt | 重量 | 1061 | 1650 | 3108 | g |
| ||
| 外形尺寸 | 见图27 | mm |
| ||||
| 外壳颜色 | 黑 |
|
| ||||
| 冷却方式 | 水冷 |
|
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安泰
MTC800A1600V
单向
二*
模块封装
模块
普通
不带散热片
大功率
中频
800A(A)
0(V)
0(mA)
1600(V)