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产品属性
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应用范围 | 发光(LED) | 结构 | 面接触型 |
材料 | 砷化镓(GaAs) | 封装形式 | 贴片型 |
封装材料 | 树脂封装 | 功率特性 | 小功率 |
频率特性 | 中频 | 发光颜色 | 红色 |
LED封装 | 无色散射封装(W) | 出光面特征 | 三角形 |
发光强度角分布 | 标准型 | 正向工作电流 | 20m(A) |
*高反向电压 | 2.2(V) |
AlGaInP LED芯片介绍
*设计外延层结构和控制MOCVD生长工艺,针对不同应用,生产不同规格外延片,通过细致的芯片*工艺,使LED芯片成为客户手中的艺*品,给予用户更多的附加值。
数码点阵系列:
|
T07R1B |
T08R1B |
T09R1C |
其它波段、尺寸等规格可应需求*。 |
Λd: |
620-625nm |
620-625nm |
620-625nm | |
Vf: |
1.8-2.3V |
1.8-2.3V |
1.8-2.2V | |
Iv: |
20-40mcd |
20-40mcd |
40-60mcd | |
Vbr (Iz =-10μA): |
≥30 |
≥30 |
≥30 |
景观照明,灯光布景,室内装修系列:
|
T07R1E |
T07R1F |
T08R1G |
其它波段、尺寸等规格可应需求*。 |
Λd: |
620-625nm |
620-625nm |
620-625nm | |
Vf: |
1.8-2.3V |
1.8-2.3V |
1.8-2.3V | |
Iv: |
70-90mcd |
80-100mcd |
90-110mcd | |
Vbr (Iz =-10μA): |
≥30 |
≥30 |
≥30 |
显示屏、交通灯系列:
|
T08R1J |
T09R1K |
T12R1L |
其它波段、尺寸等规格可应需求*。 |
Λd: |
620-625nm |
620-625nm |
620-625nm | |
Vf: |
1.8-2.3V |
1.8-2.3V |
1.8-2.2V | |
Iv: |
120-140mcd |
130-150mcd |
140-170mcd | |
Vbr (Iz =-10μA): |
≥30 |
≥30 |
≥30 |
高*性“E”系列:
动态线性饱和度大,与常规产品相比,瞬态20ms饱和电流增加70%,耐电流冲击能力强。工作结温低,波长随电流变化小,高温加速老化亮度衰减减少2%。适用于*苛刻环境下的使用。
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TE1R1K |
TE2R1L |
TE3R1M |
其它波段、尺寸等规格可应需求*。 |
Λd: |
620-625nm |
620-625nm |
620-625nm | |
Vf: |
1.8-2.3V |
1.8-2.2V |
1.8-2.2V | |
Iv: |
130-150mcd |
140-170mcd |
150-180mcd | |
Vbr (Iz =-10μA): |
≥30 |
≥30 |
≥30 |
AIGaInP LED
Times