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产品属性
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General Features
● V =60V,I =50A
DS D
RDS(ON) <20m? @ VGS=10V
● High density cell design for ultra low Rdson
● Fully characterized avalanche voltage and current
● Good stability and uniformity with high EAS
● Excellent package for good heat dissipation
● Special process technology for high *D capability
是中国现代大功率半导体器件的领航设计与销售企业,是*家研发成功并上量销售大功率-*结-MOSFET(SJ-MOSFET)的设计公司,紧密结合自身器件与工艺设计技术*的优势,与国际*的芯片*厂、封装、测试*厂保持密切配合与合作,严谨产品质量控制,*产品的持续优质和稳定供货。
SMD(SO)/表面封装
NCE6050K
N-FET硅N沟道
SW-REG/开关电源
NCE
N沟道
*缘栅(MOSFET)
增强型