酷MOS管 NCE(新洁能）NCE60R540K 贴片(*替代英飞凌(7N60）

1、*结工艺之MOSFET，耐压*650V以上，ID=8A，内阻远远低于市场上平面工艺之MOSFET，*大540毫欧（平面工艺为1.2欧姆）。

2,  8安培，600V或650V高压MOS管，酷MOS供应。*适配器，*LED灯电源之热门*。

3、在25W电源上应用，直接替代普通7N60，MOSFET发热量降低30摄氏度以上，效率*1%！

4、省去普通MOSFET加散热片的麻烦！生产效率*！

无锡新洁能功率半导体有限公司是中国现代大功率半导体器件的领航设计与销售企业，是*家研发成功并上量销售大功率-*结-MOSFET（SJ-MOSFET）的设计公司，紧密结合自身器件与工艺设计技术*的优势，与国际*的芯片*厂、封装、测试*厂保持密切配合与合作，严谨产品质量控制，*产品的持续优质和稳定供货。

General Description
The series of devices use advanced * junction
technology and design to provide excellent RDS(ON) with low
gate charge. This * junction MOSFET fits the industry’s
AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power
conversion, and industrial power applications.
Features
●New technology for high voltage device
●Low on-resistance and low conduction losses
●*all package
●Ultra Low Gate Charge cause lower driving requirements
●100% Avalanche Tested
Application
● Power factor correction（PFC）
● Switched mode power supplies(SMPS)
● Uninterruptible Power Supply（UPS）

无锡新洁能功率半导体有限公司是中国现代大功率半导体器件的领航设计与销售企业，是*家研发成功并上量销售大功率-*结-MOSFET（SJ-MOSFET）的设计公司，紧密结合自身器件与工艺设计技术*的优势，与国际*的芯片*厂、封装、测试*厂保持密切配合与合作，严谨产品质量控制，*产品的持续优质和稳定供货。