*童功率三*管 FGA25N120ANTD 型号* 欢迎咨询

地区:广东 深圳
认证:

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制造商:  Fairchild Semiconductor   
 
产品种类:  IGBT 晶体管   
 
RoHS:   详细信息  
 
配置:  Single   
 
集电*—发射**大电压 VCEO:  1200 V   
 
集电*—射*饱和电压:  2 V   
 
栅*/发射**大电压:  +/- 20 V   
 
Continuous Collector Current at 25 C:  50 A   
 
栅*—射*漏泄电流:  +/- 250 nA   
 
功率耗散:  312 W   
 
*大工作温度:  + 150 C   
 
封装 / 箱体:  TO-*-3   
 
封装:  Tube   
 
集电**大连续电流 Ic:  50 A  
 
*小工作温度:  - 55 C  
 
安装风格:  Through Hole  
 
Standard Pack Qty:  30  
 
*件号别名:  FGA25N120ANTDTU_NL  
 

是否提供加工定制

品牌/商标

FAIRCHILD/*童

型号/规格

FGA25N120ANTD

应用范围

功率

材料

硅(Si)

*性

NPN型

击穿电压VCEO

22(V)

集电*允许电流ICM

22(A)

集电*耗散功率PCM

22(W)

截止频率fT

22(MHz)

结构

肖特基

封装形式

直插型

封装材料

金属封装