IHW30N160R2 英飞凌IGBT 晶体

品牌/商标	Infineon英飞凌	型号/规格	IHW30N160R2
应用范围	放大	功率特性	小功率
频率特性	低频	*性	NPN型
结构	面接触型	材料	硅(Si)
封装形式	直插型	封装材料	塑料封装
截止频率fT	原厂（MHz）	集电**大允许电流ICM	原厂（A）
集电**大耗散功率PCM	312（W）	营销方式	现货
产品性质	*

制造商: Infineon

产品种类: IGBT 晶体管

RoHS:   详细信息

配置: Single

集电*—发射**大电压 VCEO: 1.6 KV

集电*—射*饱和电压: 2.35 V

栅*/发射**大电压: +/- 25 V

功率耗散: 312 W

*大工作温度: + 175 C

封装 / 箱体: TO-247-3

封装: Tube

*小工作温度: - 40 C

安装风格: Through Hole