场效应管 SPW17N80C3

品牌/商标	英飞凌	型号/规格	SPW17N80C3
种类	结型(JFET)	沟道类型	N沟道
导电方式	耗尽型	用途	A/宽频带放大
封装外形	CER-DIP/陶瓷直插	材料	ALGaAS铝镓砷
开启电压	43（V）	夹断电压	33（V）
跨导	33（μS）	*间电容	22（pF）
低频噪声系数	32（dB）	大漏电流	23（mA）
*大耗散功率	22（mW）

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET 功率

RoHS:   详细信息

配置: Single

晶体管*性: N-Channel

电阻汲*/源* RDS（导通）: 0.29 Ohm @ 10 V

汲*/源*击穿电压: 800 V

闸/源击穿电压: +/- 20 V

漏*连续电流: 17 A

功率耗散: 208000 mW

*大工作温度: + 150 C

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-247

封装: Tube

*小工作温度: - 55 C

*件号别名: SPW17N80C3XK

品牌

英飞凌

型号

SPW17N80C3