【质优价优】SI2323DS-T1-E3

品牌/商标	VISHay	型号/规格	SI2323DS-T1-E3
种类	*缘栅(MOSFET)	沟道类型	P沟道
导电方式	耗尽型	用途	A/宽频带放大
封装外形	LLCC/无引线陶瓷片载	材料	ALGaAS铝镓砷
开启电压	4.5（V）	夹断电压	20（V）
低频跨导	原厂规格（μS）	*间电容	原厂规格（pF）
低频噪声系数	原厂规格（dB）	大漏电流	3.7（mA）
*大耗散功率	750（mW）

制造商: Vishay

产品种类: MOSFET

RoHS:   详细信息

Product T*e: MOSFET Small Signal

配置: Single

晶体管*性: P-Channel

封装 / 箱体: TO-236

电阻汲*/源* RDS（导通）: 0.039 Ohm @ 4.5 V

汲*/源*击穿电压: 20 V

闸/源击穿电压: + /- 8 V

漏*连续电流: 3.7 A

功率耗散: 750 mW

*大工作温度: + 150 C

封装: Reel

*小工作温度: - 55 C