【质优价优】SI2323DS-T1-E3

地区:广东 深圳
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品牌/商标 VISHay 型号/规格 SI2323DS-T1-E3
种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道
导电方式 耗尽型 用途 A/宽频带放大
封装外形 LLCC/无引线陶瓷片载 材料 ALGaAS铝镓砷
开启电压 4.5(V) 夹断电压 20(V)
低频跨导 原厂规格(μS) *间电容 原厂规格(pF)
低频噪声系数 原厂规格(dB) *大漏*电流 3.7(mA)
*大耗散功率 750(mW)



制造商:  Vishay   
 
产品种类:  MOSFET   
 
RoHS:   详细信息  
 
Product T*e:  MOSFET Small Signal   
 
配置:  Single   
 
晶体管*性:  P-Channel   
 
封装 / 箱体:  TO-236   
 
电阻汲*/源* RDS(导通):  0.039 Ohm @ 4.5 V   
 
汲*/源*击穿电压:  20 V   
 
闸/源击穿电压:  + /- 8 V   
 
漏*连续电流:  3.7 A   
 
功率耗散:  750 mW   
 
*大工作温度:  + 150 C   
 
封装:  Reel   
 
*小工作温度:  - 55 C