现货原装,*童品牌HGTP5N120BND

品牌/商标	FairChild*童	型号/规格	HGTP5N120BND
应用范围	带阻尼	功率特性	小功率
频率特性	低频	*性	NPN型
结构	面接触型	材料	硅(Si)
封装形式	直插型	封装材料	塑料封装
集电**大允许电流ICM	21（A）	集电**大耗散功率PCM	167（W）
营销方式	现货	产品性质	*

制造商: Fairchild Semiconductor

产品种类: IGBT 晶体管

RoHS:   详细信息

配置: Single

集电*—发射**大电压 VCEO: 1200 V

集电*—射*饱和电压: 2.45 V

栅*/发射**大电压: +/- 20 V

Continuous Collector Current at 25 C: 21 A

栅*—射*漏泄电流: +/- 250 nA

功率耗散: 167 W

*大工作温度: + 150 C

封装 / 箱体: TO-220AB

封装: Tube

*小工作温度: - 55 C

安装风格: Through Hole