IRF3205场效应管

地区:广东 东莞
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品牌/型号

IR

种类

结型JFET

用途

MOS-HBM/半桥组件

封装外形

P-DIT/塑料双列直插

材料

M*金属半导体

开启电压

120(V)

夹断电压

85(V)

低频跨导

1(μS)

*间电容

1(pF)

低频噪声系数

1(dB)

漏*电流

1(mA)

耗散功率

125(mW)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型