MEM2301XG系列P 沟道增强型功率场效应管
地区:广东 深圳
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无
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MEM2301XG系列P 沟道增强型功率场效应管(MOSFET),采用高单元密度的DMOS 沟道技术。这种高密度的工艺*适用于减小导通电阻。MEM2301XG 系列适用于低压应用,例如移动电话,笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。这种低损耗可采用小尺寸封装
特点
-20V/-2.8ARDS(ON) =93mΩ@ VGS=-4.5V,ID=-2.8ARDS(ON) =113mΩ@ VGS=-2.5V,ID=-2A
*密度单元、*小的RDS(ON))
*小封装:SOT23
应用
电源管理
负载开关
电池保护