深圳市福田区海立辉电子销售部
普通会员
图文详情
产品属性
相关推荐
SVD8N60T/F是N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管,有TO-220-3L和TO-220F-3L俩种封装,采用士兰微电子的平面VDMOS工艺制造,*的工艺及条状的原胞设计结构使的该产品具有较底的导通电阻,*的开关性能及很高的 雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PMW马达驱动。
SILAN/士兰微
SVD8N60F
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
L/功率放大
CER-DIP/陶瓷直插
GE-N-FET锗N沟道
mosfet型号
恒泰柯功率MOSFET
低压mosfet
mosfet引脚
供应IR系列MOS IRFP264
供应FQPF8N80C
高耐压 N型MOS管 FQP4N90C/FQPF4N90C
商铺
询价