优势供应 场效应管 贴片MOS管 SI2305

地区:广东 深圳
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深圳市福田区新亚洲电子市场二期阔晶电子商行

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品牌/商标 VISHAY威世 型号/规格 SI2305DS-T1-*
种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道
导电方式 增强型 用途 S/开关
封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 P-FET硅P沟道
开启电压 0.85(V) 夹断电压 20(V)
*大漏*电流 4700(mA) *大耗散功率 1100(mW)

2305  SOTPCS/盘
 
20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET    20V P 沟道增强型 MOS 管
 
VDS= -20V
RDS(ON), Vgs@- 4.5V, Ids@- 4.7A = 60mΩ  
RDS(ON),,= 100mΩ 
 
Features   特性
Advanced trench process technology   高级的加工技术
High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance  *低的导通电阻高密度的单元设计 

 

深圳市阔晶电子有限公司,*MOS管,IC,二三*管供应商,常备现货,量大单价从优,期待您的合作。

联系方式:颜婵贞        : 

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品牌

VISHAY威世

型号

SI2305DS-T1-*