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产品属性
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品牌/商标 | 长电 | 型号/规格 | S8550 |
应用范围 | 放大 | 功率特性 | *率 |
频率特性 | 中频 | *性 | NPN型 |
结构 | 平面型 | 材料 | 硅(Si) |
封装形式 | 贴片型 | 封装材料 | 塑料封装 |
截止频率fT | 150(MHz) | 集电**大允许电流ICM | 0.5(A) |
集电**大耗散功率PCM | 0.3(W) | 营销方式 | 现货 |
产品性质 | * |
S8050晶体管(NPN) 品牌:长电
采用SOT - 23塑料封装晶体管
特征
集电*电流: Ic=0.5A 芯片标记: J3Y
*大额定值(Ta = 25℃除非另有说明)
*号 参数值 单位
VCBO Collector-Base Voltage 40 V 集电*基电压
VCEO Collector-Emitter Voltage 25 V 集电*发射*电压
VEBO Emitter-Base Voltage 5 V 发射*基*电压
IC Collector Current –Continuous 0.5 A 集电*电流连续
PC Collector Dissipation 0.3 W 集电*耗散
Tj Junction Temperature 150 ℃ 结温
Tstg Storage Temperature -55-150 ℃ 储存温度
电气特性
参数 *号 测试条件 数值 (Tamb = 25℃除非另有说明)
Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO IC= 100μA, IE=0 40V 集电*基*击穿电压
Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC=1mA, IB=0 25V 集电*发射*击穿电压
Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=100μA, IC=0 5V 发射*基*击穿电压
Collector cut-off current ICBO VCB=40 V , IE=0 0.1 μA 集电*截止电流
Collector cut-off current ICEO VCB=20V , IE=0 0.1 μA 集电*截止电流
Emitter cut-off current IEBO VEB= 5V , IC=0 0.1 μA 发射*截止电流
DC current gain 直流电流增益
HFE(1) VCE=1V, IC= 50mA 120-350
HFE(2) VCE=1V, IC= 500mA 50
Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) IC=500 mA, IB= 50mA 0.6V 集电*发射*饱和电压
Base-emitter saturation voltage VBE(sat) IC=500 mA, IB= 50mA 1.2V 基*发射*饱和电压
Transition frequency( fT) VCE=6V, IC= 20mA f=30MHz 150MHz 转换频率
放大倍数范围: 120-200(L) 200-350(H)
SOT-23 脚位:
1. 基* 2.发射* 3. 集电*
长电
S8550
*率
中频
NPN型
贴片型