SPA11N60C3 SPA11N80C3 SPA17N80C3 TO-220F （塑封）英飞凌原装

規格書產品相片產品目錄繪圖標準包裝類別家庭系列FET型FET特點開態Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏極至源極的電壓(Vdss)電流 - 連續漏極(Id) @ 25° CId時的Vgs(th)（*大值）閘電流(Qg) @ VgsVds時的輸入電容(Ciss)功率 - *大安裝類型封裝/外殼封裝供應商設備封裝其他名稱

SP(P,I,A)11N60C3

TO-220 FULLPAK Pkg

Mosfets TO-220FP

50

離散半導體產品

MOSFET，GaNFET - 單

CoolMOS™

MOSFET N通道，金屬氧化物

標準

380 毫歐姆 @ 7A, 10V

650V

11A

3.9V @ 500µA

60nC @ 10V

1200pF @ 25V

33W

通孔

TO-220-3全封裝

管裝

PG-TO220-FP

SP
SP
SPA11N60C3IN
SPA11N60C3X
SPA11N60C3XTIN
SPA11N60C3XTIN-ND

品牌/商标

INFINEON/英飞凌

型号/规格

SPA11N60C3

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

DUAL/配对管

封装外形

P-DIT/塑料双列直插

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

600（V）

夹断电压

60（V）

*间电容

1（pF）

低频噪声系数

1（dB）

漏*电流

01（mA）

耗散功率

10（mW）