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IGBT SGH40N60UFD G40N60UFD G40N60 *原装 TO-* 40A

地区：广东 深圳
认证： 无

深圳市长亮源科技有限公司

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規格書產品培訓模組標準包裝類別家庭系列IGBT類型電壓 - 集電極發射極擊穿（*大值）Vge, Ic時的*大Vce（開）電流 - 集電極(Ic)（*大值）功率 - *大輸入類型安裝類型封裝/外殼供應商設備封裝封裝
SGH40N60UFD
High Voltage Switches for Power Processing
30
離散半導體產品
IGBT - 單路
-
-
600V
2.6V @ 15V, 20A
40A
160W
標準
通孔
TO-*N
TO-*N
管裝

 

規格書產品培訓模組標準包裝類別家庭系列IGBT類型電壓 - 集電極發射極擊穿（*大值）Vge, Ic時的*大Vce（開）電流 - 集電極(Ic)（*大值）功率 - *大輸入類型安裝類型封裝/外殼供應商設備封裝封裝
SGH40N60UFD
High Voltage Switches for Power Processing
30
離散半導體產品
IGBT - 單路
-
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600V
2.6V @ 15V, 20A
40A
160W
標準
通孔
TO-*N
TO-*N
管裝
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品牌

FAIRCHILD/*童

型号

G40N60

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

用途

MOS-HBM/半桥组件

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

GE-P-FET锗P沟道

开启电压

600V（V）

夹断电压

600V（V）

跨导

505（μS）

*间电容

40（pF）

低频噪声系数

020（dB）

漏*电流

40A（mA）

耗散功率

160W（mW）