增强型MOS管N沟道 FDS6570A 原装

品牌/商标	FAIRCHILD	型号/规格	FDS6570A
种类	*缘栅(MOSFET)	沟道类型	N沟道
导电方式	增强型	用途	AM/调幅
封装外形	SMD(SO)/表面封装	材料	N-FET硅N沟道
开启电压	20（V）	夹断电压	2.（V）
低频跨导	36（μS）	*间电容	3（pF）
低频噪声系数	3（dB）	*大漏*电流	15A（mA）
*大耗散功率	3000（mW）

数据列表产品相片产品培训模块产品变化通告产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)Id 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳包装

FDS6570A

8-SOIC Pkg

High Voltage Switches for Power Processing

Cu Wirebond Change 12/Oct/2007 Mold Compound Change 12/Dec/2007

Power MOSFET, 8-SOP, SO-8

2,500

分离式半导体产品

MOSFET，GaNFET - 单

PowerTrench®

MOSFET N 通道，金属氧化物

逻辑电平门

7.5 毫欧 @ 15A, 4.5V

20V

1.5V @ 250µA

66nC @ 5V

15A

4700pF @ 10V

1W

表面贴装

8-SOIC（3.9mm 宽）

带卷 (TR)