2SK3568增强型MOS管N沟道

品牌/商标	TOS日本东芝	型号/规格	2SK3568
种类	*缘栅(MOSFET)	沟道类型	N沟道
导电方式	增强型	用途	HF/高频(射频)放大
封装外形	P-DIT/塑料双列直插	材料	N-FET硅N沟道
开启电压	500（V）	夹断电压	10（V）
低频跨导	5（μS）	*间电容	12（pF）
低频噪声系数	3（dB）	大漏电流	12A（mA）
*大耗散功率	40W（mW）

数据列表产品相片产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳包装供应商设备封装其它名称

2SK3568

2SK3568(Q)

TO-220SIS Side 3
TO-220SIS Side 2
TO-220SIS Side 1

50

分离式半导体产品

MOSFET，GaNFET - 单

-

MOSFET N 通道，金属氧化物

标准型

520 毫欧 @ 6A, 10V

500V

12A

4V @ 1mA

42nC @ 10V

1500pF @ 25V

40W

通孔

2-10U1B

管件

TO-220SIS

2SK3568(Q)
2SK3568Q
2SK3568Q-ND

品牌

TOS日本东芝

型号

2SK3568