FGA15N120 FGA15N120ANTDTU FGA025N120 增强型MOS管N沟道

地区:广东 深圳
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品牌/商标 *童 型号/规格 FGA15N120ANTDTU
种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型 用途 L/功率放大
封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道
开启电压 1200(V) 夹断电压 10(V)
跨导 10(μS) *间电容 2(pF)
低频噪声系数 25(dB) *大漏*电流 15000(mA)
*大耗散功率 1860(mW)

数据列表产品变化通告标准包装类别家庭系列电压 - 集电*发射*击穿(*大)Vge, Ic时的*大Vce(开)电流 - 集电* (Ic)(*大)功率 - *大输入类型安装类型封装/外壳包装
FGA15N120ANTD
Product Discontinuation 09/Sept/2008
30
分离式半导体产品
IGBT - 单路
-
1200V
2.4V @ 15V, 15A
30A
186W
标准型
通孔
TO-*-3(直引线)
管件
品牌

*童

型号

FGA15N120ANTDTU