4N60 4N60L FQPF4N60C TO-252 TO-220F 封装 原装

地区:广东 深圳
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品牌/商标 WG 型号/规格 4N60L
种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型 用途 D-G双栅四*
封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道
开启电压 600(V) 夹断电压 10(V)
跨导 10(μS) *间电容 2(pF)
低频噪声系数 2(dB) *大漏*电流 10(mA)
*大耗散功率 530(mW)

規格書產品相片產品變化通告標準包裝類別家庭系列FET型FET特點開態Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C漏極至源極的電壓(Vdss)電流 - 連續漏極(Id) @ 25° CId時的Vgs(th)(*大值)閘電流(Qg) @ VgsVds時的輸入電容(Ciss)功率 - *大安裝類型封裝/外殼封裝供應商設備封裝
FQP4N60
TO-220-3 Pkg
Product Discontinuation 09/Sept/2008
1,000
離散半導體產品
FETs - Single
QFET™
MOSFET N通道,金屬氧化物
標準
2.2 歐姆 @ 2.2A, 10V
600V
4.4A
5V @ 250µA
20nC @ 10V
670pF @ 25V
106W
通孔
TO-220-3
管裝
TO-220