IRF7832TRPBF F7832 SOP-8 IR原装公司 30V 20A 2N-CH

品牌/商标	IR美国国际整流器公司	型号/规格	IRF7832TRPBF
种类	结型(JFET)	沟道类型	N沟道
导电方式	耗尽型	用途	MOS-HBM/半桥组件
封装外形	CHIP/小型片状	材料	GE-N-FET锗N沟道
开启电压	30（V）	夹断电压	30（V）
跨导	20（μS）	*间电容	2（pF）
低频噪声系数	2（dB）	大漏电流	2000（mA）
*大耗散功率	100（mW）

規格書產品相片產品目錄繪圖標準包裝類別家庭系列FET型FET特點開態Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏極至源極的電壓(Vdss)電流 - 連續漏極(Id) @ 25° CId時的Vgs(th)（*大值）閘電流(Qg) @ VgsVds時的輸入電容(Ciss)功率 - *大安裝類型封裝/外殼封裝供應商設備封裝產品目錄頁面其他名稱

IRF7832PbF

8-SOIC

IR Hexfet 8-SOIC

4,000

離散半導體產品

FET - 單路

HEXFET®

MOSFET N通道，金屬氧化物

邏輯電平閘極

4 毫歐姆 @ 20A, 10V

30V

20A