STP4NK60Z增强型MOS管N沟道

地区:广东 深圳
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品牌/商标 ST意法半导体 型号/规格 STP4NK60Z
种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型 用途 MOS-ARR/陈列组件
封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道
开启电压 600(V) 夹断电压 60(V)
低频跨导 101(μS) *间电容 20(pF)
低频噪声系数 10(dB) *大漏*电流 230(mA)
*大耗散功率 1000(mW)