MOS管耗尽型MOS管N沟道
地区:广东 东莞
认证:
无
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产品属性
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品牌/商标 | TOS日本东芝 | 型号/规格 | A04611 |
种类 | *缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 耗尽型 | 用途 | D-G双栅四* |
封装外形 | CHIP/小型片状 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
开启电压 | 1000(V) | 夹断电压 | 1(V) |
低频跨导 | 5(μS) | *间电容 | 2(pF) |
低频噪声系数 | 100(dB) | *大漏*电流 | 10(mA) |
*大耗散功率 | 0.01(mW) |
货期:现货供应
原产地:墨西哥/韩国/中国(原装*)
包装方式:管装。型号后带TR则代表盘装
*小购货量:50只
质量/*认证:IR产品已通过ISO 9001:2000认证,无铅*
亿铭电子品质*:只有原装,只做原装