*供应RAMTRON铁电非易失性存储器*8V100-TG

*供应RAMTRON铁电非易失性存储器*8V100-TG

1Mbit位非易失性铁电存储器
• 结构容量为128Kx8
• 读/写次数*100万亿次（10¹⁴） 次
• 写数据无延迟
• 页面模式运行可*33MHz
• 采用*的高*性铁电制造工艺

可替代SRAM
• *合JEDEC 128K x8 SRAM 引脚标准
• 访问时间：60 ns，周期：90 ns

块写入保护
• 软件可编程块写保护
• 8个扇区，每个扇区16KB

*带附加电池SRAM模块
• 没有电池忧虑
• 整体*性
• 真正的表面贴片安装解决方案，没有返工步骤
• *潮湿，冲击和震动的危害

低功耗操作
• 工作电压：2.0V - 3.6V 
• 待机电流（典型值）：90μA
• 工作电流（典型值）：7mA

工业标准
• 工业级温度：-40℃至+85℃
• 32脚*/RoHS封装