*RAMTRON铁电非易失性存储器SPI接口*5L16B-DGTR

*供应RAMTRON铁电非易失性存储器SPI接口*5L16B-DGTR

16Kbit位非易失性铁电存储器
• 结构容量为2,048 x 8位
•高耐久性读/写次数*100万亿次
• 数据保存长达38年（@ +75C）
• 写数据无延迟
• 采用*的高*性铁电制造工艺

*串行外设接口- SPI
• 总线频率可达18MHz
• 硬件上可直接替换EEPROM
• SPI 模式0&3（CPOL,CPHA=0,0&1,1）

*的写保护机制
• 硬件保护
• 软件保护

低功耗

• 低电压操作：2.7~3.6V

工业级标准
• 工作温度范围： -40°C ~ +85°C
• 8引脚 SOIC 和 8引脚 TDFN (4x4.5mm) 封装
• "Green"/RoHS 封装