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P沟MOSF管IRF7406

地区：广东 深圳
认证： 无

深圳市钜腾电子有限公司

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品牌/商标 其他 型号/规格 IRF7406
种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道
导电方式 增强型 封装外形 SMD(SO)/表面封装
材料 P-FET硅P沟道 开启电压 30（V）
夹断电压 1（V） 跨导 0（μS）
*间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB）
*大漏*电流 0（mA） *大耗散功率 0（mW）

SO8, P沟MOSFET

数据列表产品相片产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳供应商设备封装包装
IRF7406PbF
8-SOIC
IR Hexfet 8-SOIC
4,000
分离式半导体产品
FET - 单路
HEXFET®
MOSFET P 通道，金属氧化物
逻辑电平门
45 毫欧 @ 2.8A, 10V
30V
5.8A
1V @ 250µA
59nC @ 10V
1100pF @ 25V
2.5W
表面贴装
8-SOIC（0.154", 3.90mm 宽）
8-SO
带卷 (TR)