场效应管 IRLML6302TR SOT - 23封装 *原装 现货库存
地区：湖北 武汉
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产品属性
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| 品牌/商标 | IR美国国际整流器公司 | 型号/规格 | IRLML6302TR |
| 种类 | *缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
| 导电方式 | 耗尽型 | 用途 | MOS-ARR/陈列组件 |
| 封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | IGBT*缘栅比* |
| 开启电压 | --（V） | 夹断电压 | --（V） |
| 跨导 | --（μS） | *间电容 | --（pF） |
| 低频噪声系数 | --（dB） | *大漏*电流 | --（mA） |
| *大耗散功率 | --（mW） |
| 供应商 | 国际整流器公司（弗吉尼亚州） |
| 分类 | 分立半导体产品 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| FET型 | MOSFET的P沟道金属氧??化物 |
| 漏*至源*电压（Vdss） | 20V的 |
| 电流-连续漏*（编号）@ 25℃ | 七八○毫安 |
| RDS的开（*大值）@标识，VGS的 | 600毫欧@六一〇毫安，4.5V的 |
| 输入电容（西塞）@ Vds的 | 97pF @ 15V的 |
| 功率-*大 | 540mW |
| 包装 | 剪切带扫描（*） |
| 栅*电荷（Qg）@ VGS的 | 3.6nC @ 4.45V |
| 封装/外壳 | 采用SOT - 23 - 3，- 236 - 3，Micro3™，SSD3，SST3 |
| 场效应管的特征 | 逻辑电平门 |
| 无铅状态 | 含有铅 |
| RoHS状态 | RoHS指令不兼容的 |
| 其他名称 | IRLML6302TR IRLML6302TR IRLML6302*钕 IRLML6302*ND IRLML6302* |
IR美国国际整流器公司
IRLML6302TR
