场效应管SED8820N DFN3*2封装 SI*-IC
地区：上海 上海市
认证：
无
图文详情
产品属性
相关推荐
| 品牌/商标 | SI*-IC | 型号/规格 | SED8820N |
| 种类 | *缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | S/开关 |
| 封装外形 | SP/*外形 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 12（V） | 夹断电压 | 20（V） |
| 跨导 | 1（μS） | *间电容 | 1（pF） |
| 低频噪声系数 | 1（dB） | *大漏*电流 | 7000（mA） |
| *大耗散功率 | 1（mW） |
SHANGHAI Feb 2010 MICROELE*RONICSCO., LTD.
SED8820N
| ||||||
FeaturesFor a single mosfet ●VDSS= 20 V ●RDS(ON)< 19mW? @ VGS=4.5V @Ids=7A RDS(ON)< 23mW? @ VGS=2.5V @Ids=4A |
| |||||
Applications
●Battery protection ●Load switch ●Power management | ||||||
Construction
●Silicon epitaxial planer | ||||||
Absolute Maximum Ratings | ||||||
Parameter | Symbol | Rating | Units | |||
Drain-Source Voltage | VDS | 20 | V | |||
Gate-Source Voltage | VGS | &plu*n;12 | V | |||
Drain Current (Note 1) | Continuous Pulsed | ID | 7 | A | ||
IDM | 28 | |||||
Drain-Source Diode Forward Current | IS | 1.7 | A | |||
Maximum Power Dissipation | PD | 1.5 | W | |||
Operating Junction Temperature Range | TJ | -55 to 150 | °C | |||
StorageTemperature Range | TSTG | |||||
更多型号欢迎访问www.sino-ic.cn,应用方案可参考www.sino-ic.com.
或来电咨询:-8040
主要类目:1、TVS/*D保护器件2、场效应管 3、稳压管、4、肖特基二*管 5、AC-DC IC 6、霍尔IC 7、LED开路保护器件 8、二三*管
SI*-IC
SED8820N
