场效应管SED8820N DFN3*2封装 SI*-IC

地区:上海 上海市
认证:

上海光宇睿芯微电子有限公司

普通会员

全部产品 进入商铺
品牌/商标 SI*-IC 型号/规格 SED8820N
种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型 用途 S/开关
封装外形 SP/*外形 材料 N-FET硅N沟道
开启电压 12(V) 夹断电压 20(V)
跨导 1(μS) *间电容 1(pF)
低频噪声系数 1(dB) *大漏*电流 7000(mA)
*大耗散功率 1(mW)

 


SHANGHAI                                     Feb 2010

MICROELE*RONICSCO., LTD.

 

SED8820N 

Revision:A

Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 

 

Features

For a single mosfet

VDSS= 20 V

RDS(ON)< 19mW?  @ VGS=4.5V @Ids=7A

RDS(ON)< 23mW?  @ VGS=2.5V @Ids=4A 

 

 

 

Applications

 

Battery protection

Load switch

Power management

 

Construction

 

Silicon epitaxial planer

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Rating

Units

Drain-Source Voltage

VDS

20

V

Gate-Source Voltage

VGS

&plu*n;12

V

Drain Current (Note 1)

Continuous

Pulsed

ID

7

A

IDM

28

Drain-Source Diode Forward Current

IS

1.7

A

Maximum Power Dissipation 

PD

1.5

W

Operating Junction Temperature Range

TJ

-55 to 150

°C

StorageTemperature Range

TSTG

 

更多型号欢迎访问www.sino-ic.cn,应用方案可参考www.sino-ic.com.

或来电咨询:-8040

主要类目:1TVS/*D保护器件2、场效应管  3、稳压管、4、肖特基二*管  5AC-DC IC  6、霍尔IC  7LED开路保护器件  8、二三*管

品牌

SI*-IC

型号

SED8820N