场效应管SE8209A SI*-IC

地区:上海 上海市
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品牌/商标 SI*-IC 型号/规格 SE8209A
种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型 用途 S/开关
封装外形 SP/*外形 材料 N-FET硅N沟道
开启电压 12(V) 夹断电压 20(V)
跨导 1(μS) *间电容 1(pF)
低频噪声系数 1(dB) *大漏*电流 6000(mA)
*大耗散功率 1(mW)

 


SHANGHAI                                     Feb 2008

MICROELE*RONICSCO., LTD.

 

SE8209A 

Revision:A

Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 

 

Features

For a single mosfet

VDSS= 20 V

RDS(ON)= 24mW?  @ VGS=4.0V @Ids=5A

RDS(ON)= 36mW?  @ VGS=2.5V @Ids=3A 

 

 

 

 

Applications

 

Battery protection

Load switch

Power management

 

Construction

 

Silicon epitaxial planer

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Rating

Units

Drain-Source Voltage

VDS

20

V

Gate-Source Voltage

VGS

&plu*n;12

V

Drain Current (Note 1)

Continuous

Pulsed

ID

6

A

IDM

24

Drain-Source Diode Forward Current

IS

1.7

A

Maximum Power Dissipation 

PD

1.5

W

Operating Junction Temperature Range

TJ

-55 to 150

°C

StorageTemperature Range

TSTG

 

更多型号欢迎访问www.sino-ic.cn,应用方案可参考www.sino-ic.com.

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主要类目:1TVS/*D保护器件2、场效应管  3、稳压管、4、肖特基二*管  5AC-DC IC  6、霍尔IC  7LED开路保护器件  8、二三*管