供应场效应FL024Z
地区：广东 汕头
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IR/国际整流器
FL024Z
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
MOS-INM/*组件
SMD(SO)/表面封装
ALGaAS铝镓砷
45（V）
45（V）
30（μS）
30（pF）
30（dB）
45（mA）
45（mW）
