蔡楚杰
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INFINEON/英飞凌
G50T60
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
MOS-FBM/全桥组件
SMD(SO)/表面封装
GE-N-FET锗N沟道
600(V)
60(V)
24(μS)
450(pF)
24(dB)
500(mA)
600(mW)
mosfet引脚
恒泰柯功率MOSFET
电力场效应晶体管
低压mosfet
供应场效应管STD3NK50Z
供应场效应管MTB30P06V
供应场效应管BSP320S(图)
供应场效应管NTB5426N
供应场效应管STB100NF04
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