供应场效应STD70NH02L
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ST/意法
STD70NH02L
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
MOS-FBM/全桥组件
SMD(SO)/表面封装
GE-N-FET锗N沟道
45（V）
45（V）
4（μS）
54（pF）
55（dB）
55（mA）
45（mW）
