蔡楚杰
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上海贝岭
BLV1N60
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
MOS-FBM/全桥组件
SMD(SO)/表面封装
GE-N-FET锗N沟道
600(V)
23(μS)
24(pF)
56(dB)
56(mA)
45(mW)
mosfet场效应管
低压mosfet
mosfet引脚
mosfet型号
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供应场效应管IPB19N06L3G
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