蔡楚杰
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INFINEON/英飞凌
016N06L
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
MOS-FBM/全桥组件
SMD(SO)/表面封装
GE-N-FET锗N沟道
60(V)
50(μS)
6000(pF)
24(dB)
500(mA)
500(mW)
电力场效应晶体管
低压mosfet
恒泰柯功率MOSFET
mosfet场效应管
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供应场效应管FR3504
供应场效应管P0603BD
供应场效应FDD4141
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