供应场效应管3QN0402
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INFINEON/英飞凌
3QN0402
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
MOS-FBM/全桥组件
SMD(SO)/表面封装
GE-N-FET锗N沟道
40（V）
40（V）
24（μS）
14300（pF）
24（dB）
500（mA）
600（mW）
