供应场效应K3377

地区:广东 汕头
认证:

蔡楚杰

普通会员

全部产品 进入商铺

供应场效应K3377供应场效应K3377供应场效应K3377供应场效应K3377供应场效应K3377供应场效应K3377供应场效应K3377供应场效应K3377供应场效应K3377供应场效应K3377供应场效应K3377供应场效应K3377供应场效应K3377

品牌/商标

NEC/日本电气

型号/规格

K3377

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

用途

MOS-TPBM/三相桥

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

GE-N-FET锗N沟道

开启电压

30(V)

夹断电压

30(V)

跨导

45(μS)

*间电容

45(pF)

低频噪声系数

45(dB)

漏*电流

45(mA)

耗散功率

45(mW)