供应场效应K3377
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NEC/日本电气
K3377
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
MOS-TPBM/三相桥
SMD(SO)/表面封装
GE-N-FET锗N沟道
30(V)
30(V)
45(μS)
45(pF)
45(dB)
45(mA)
45(mW)