蔡楚杰
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INFINEON/英飞凌
SPB02N60C3
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
MOS-FBM/全桥组件
SMD(SO)/表面封装
GE-N-FET锗N沟道
600(V)
24500(μS)
500(pF)
24(dB)
500(mA)
600(mW)
mosfet型号
mosfet引脚
恒泰柯功率MOSFET
低压mosfet
肖特基12CWQ03FN
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场效应NTB18N06
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