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供应场效应管PHT11N06LT

地区：广东 汕头
认证： 无

蔡楚杰

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品牌

NXP/恩智浦

型号

PHT11N06LT

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

MOS-HBM/半桥组件

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

GE-N-FET锗N沟道

开启电压

2.6（V）

夹断电压

60（V）

跨导

24（μS）

*间电容

1400（pF）

低频噪声系数

24（dB）

漏*电流

500（mA）

耗散功率

600（mW）