供应场效应STD2NK70Z

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品牌

ST/意法

型号

STD2NK70Z

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

用途

MOS-FBM/全桥组件

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

IGBT*缘栅比*

开启电压

700(V)

夹断电压

700(V)

低频跨导

24(μS)

*间电容

24(pF)

低频噪声系数

24(dB)

漏*电流

500(mA)

耗散功率

500(mW)