供应场效应管IPA093N06N3G
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INFINEON/英飞凌
IPA093N06N3G
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
MOS-FBM/全桥组件
CER-DIP/陶瓷直插
GE-N-FET锗N沟道
80(V)
80(V)
24(μS)
5600(pF)
124(dB)
50(mA)
60(mW)