供应场效应STD36NH02LT
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"ST/意法
STD36NH02LT
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
MW/微波
SMD(SO)/表面封装
ALGaAS铝镓砷
45（V）
45（V）
45（μS）
45（pF）
30（dB）
45（mA）
45（mW）
