供应场效应FL014N
地区:广东 汕头
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"IR/国际整流器
FL014N
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
MOS-FBM/全桥组件
SMD(SO)/表面封装
GaAS-FET砷化镓
45(V)
45(V)
45(μS)
45(pF)
45(dB)
45(mA)
54(mW)