蔡楚杰
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0N/安森美
NTD5807N
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
MOS-FBM/全桥组件
SMD(SO)/表面封装
GE-N-FET锗N沟道
30(V)
24(μS)
500(pF)
24(dB)
24(mA)
24(mW)
低压mosfet
恒泰柯功率MOSFET
电力场效应晶体管
mosfet引脚
高压场效应管3N62K3(图)
供应场效应管FCD5N60
场效应管5N80
高压场效应管14NM65N(图)
供应场效应IRFB31N20DPBF
场效应管PSMN015-100B
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