蔡楚杰
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0N/安森美
MTD5P06V
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
MOS-FBM/全桥组件
SMD(SO)/表面封装
GE-N-FET锗N沟道
30(V)
24(μS)
500(pF)
24(dB)
24(mA)
24(mW)
电力场效应晶体管
恒泰柯功率MOSFET
mosfet引脚
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