供应场效应管K3385

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品牌

NEC/日本电气

型号

K3385

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

用途

MOS-FBM/全桥组件

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

GE-N-FET锗N沟道

开启电压

60(V)

夹断电压

60(V)

跨导

24(μS)

*间电容

780(pF)

低频噪声系数

24(dB)

漏*电流

500(mA)

耗散功率

6900(mW)